英飞凌主要产品（英飞凌主要产品型号）

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英飞凌是一家全球领先的半导体公司，为汽车、工业和通信市场提供先进的解决方案。其主要产品涵盖了广泛的应用领域，包括汽车电子、无线通信、能源管理和工业自动化等。以下是英飞凌的一些主要产品型号。

汽车电子领域是英飞凌的核心业务之一。其主要产品包括微控制器、传感器和电源管理芯片等。英飞凌的AURIX微控制器系列广泛应用于汽车电子系统中，具有强大的计算性能和高度的安全性。而英飞凌的传感器产品则提供了精准的测量和检测功能，包括压力传感器、温度传感器和加速度传感器等。英飞凌的电源管理芯片能够提供高效能和稳定的电源供应，以满足汽车电子系统对能源的需求。

无线通信领域是英飞凌的另一个重要业务。英飞凌的射频芯片可以应用于各种无线通信标准，例如LTE（长期演进）、5G和Wi-Fi等。这些芯片具有出色的性能和功耗优化特性，能够支持高速数据传输和稳定的信号传输。

英飞凌还在能源管理和工业自动化领域提供了一系列创新产品。在能源管理方面，英飞凌的功率半导体芯片能够提供高效能的电力转换和控制解决方案，以满足不同的能源需求。在工业自动化方面，英飞凌的工业微控制器和驱动器产品可为工业设备和机器提供高性能控制和驱动功能。

英飞凌的主要产品型号涵盖了广泛的应用领域，为各行各业提供先进的半导体解决方案。凭借其创新的技术和可靠的质量，英飞凌在全球范围内赢得了广泛的认可和信赖，并成为许多行业的首选合作伙伴。英飞凌将继续致力于研发创新产品，助力各个行业实现更高的效益和可持续发展。

英飞凌主要产品（英飞凌主要产品型号）

降低 CO 2 排放平衡电力供给与需求确保电网稳定性和安全性要解决这些问题，智能化电网必不可少。智能化电网是对现有电网的升级，使其具有分布式本地智能、更高的安全性和效率以及更强的控制能力。智能化电网为如何将分层电网系统转换为分布式电网提供解决方案。随着过去 20 年中人们生活习惯的显著改变，智能化基础结构越来越引人注目：当今世界半数以上人口居住在城市中。1990 年到 2012 年 1 期间，人口超过 100 万的城市数量几乎翻倍并且仍在继续增长。20 年前，家庭能源消耗主要源于“基本需求”，比如照明、供热和烹饪，而当今不断增长的能源消耗源于多媒体、通信和 IT 设备。这些变化要求我们彻底反思我们使用能源的方式, 并且意味着向智能化城市和智能化家庭的快速转变，前者将良好管理移动性、照明和市民所需能源，而后者将最大程度降低电源损耗和待机损耗等非必要能源损耗， 两者都将实现可再生能源集成和需求/供给平衡。从当前基础设施向“智能化”基础设施的转变需要考虑许多要素：预防欺诈和恶意攻击确保安全性，进行分布式控制所需的智能设备、传感器和 MCU，降低功率损耗并提供能源等重要服务所需的可靠性的高效功率半导体。英飞凌拥有大量针对智能化电网、城市和家庭的半导体产品组合，旨在大幅提高能源效率。公司特别注重创新，确保始终提供最新的半导体产品以支持能源基础结构的快速现代化：安全、可靠、高效、低成本高收益和易部署 IC 和电力设备。随着需求的快速变化，英飞凌已经做好准备，可随时借助全新智能化电网技术和元件为客户提供最佳服务。 满足工业要求的PC架构（恶劣的环境）英飞凌为关于电源、安全和工业通信提供解决方案:全面MOSFET产品线，适用于高压AC/DC变换器应用（CoolMOS）和低压DC/DC转换的应用（OptiMOS）微控制器解决方案，适用于电源管理，具有LED驱动功能（XC800）值得信赖的计算解决方案（TPM）安全解决方案，适合门禁和身份识别等应用负载点：集成式数字PWM IC，适用于CPU VRM/VRD（PRIMARION）和栅极驱动器（DrMOS）射频解决方案，适用于无线局域网（LNA）增强型通用ESD和EMI防护解决方案

英飞凌主要产品和客户

总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、连通性和安全性提供半导体和系统解决方案。2007财年（截止到9月份），公司实现销售额77亿欧元（包括奇梦达的销售额36亿欧元），在全球拥有约43,000名雇员（其中奇梦达雇员约13,500人）。英飞凌科技公司的业务遍及全球，在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构，是全球领先的半导体公司之一。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发，全球共拥有41,000项专利。 西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有1400多名员工（不包括奇梦达），已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。 进入中国以来，英飞凌不断顺应客户与市场的需求，研发及生产一系列能够应用于本地市场的产品。英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，同时我们凭借雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括中兴、华为、方正、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。 英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售市场、技术支持等在内的完整的产业链。在研发方面，英飞凌在上海、西安建立了研发中心，利用国内的人才资源，参与全球的重点项目研究；在无锡的后道生产工厂，为中国及全球其他市场生产先进的芯片产品；并以北京、上海、深圳和香港为中心在国内建立了全面的销售网络。我们在销售、产品代工、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。 我们秉承扎根中国的承诺，致力于和政府及科研机构携手开发行业标准，支持中国集成电路产业增强竞争力。我们与国内领先高校合作建立实验室，进行汽车电子、智能卡等方面的研发合作，现在进行的项目有上海同济大学汽车电子实验室、天津大学内燃机实验室等等。我们每年拨出专款，在复旦大学、西安电子科技大学、同济大学等众多领先高校设立奖学金，培养优秀的技术和管理人才，并为其提供施展才华的广阔空间。 作为优秀的企业公民，英飞凌致力于回馈社会，协助中国实现可持续发展。我们积极开展资助贫困儿童入学的活动，一方面号召英飞凌在国内的员工捐款捐物，帮助贫困地区的儿童返回校园；另一方面派员工到贫困地区提供义务教学，为中国基础教育的发展做出贡献。 中国在英飞凌的全球战略中具有举足轻重的地位，我们在过去的发展历程中，见证了中国改革开放取得的巨大成就。放眼我们愿与中国在核心层面进行密切合作，与快速成长的中国集成电路产业共同发展，与中国共创辉煌！

英飞凌

企业愿景 英飞凌在共建"更加美好未来"的愿景中，发挥着重要作用:用微电子科技连线现实和数字世界。 发展历史 西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自1995年在无锡建立第一家企业以来， 英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工， 已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内企业、高等院校开展了深入的合作。 2018年3月，英飞凌与上汽集团宣布成立合资企业，为中国充满活力的电动汽车市场制造功率模组。合资公司命名为"上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司"，总部设在上海，生产基地位于英飞凌无锡工厂扩建项目内。 进入中国以来，英飞凌不断顺应客户与市场的需求，研发及生产一系列能够套用于本地市场的产品。英飞凌先进的半导体解决方案已广泛套用于各个领域，同时我们凭借雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括中兴、华为、方正、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。 英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链。在研发方面，英飞凌在上海、西安建立了研发中心，利用国内的人才资源，参与全球的重点项目研究;在无锡的后道生产工厂，为中国及全球其他市场生产先进的晶片产品;2011年，英飞凌积体电路(北京)有限公司正式开业，并在亦庄开发区建立了专注于面向风电高铁等行业的IGBT模组的制造。英飞凌中国以北京、上海、深圳和香港为中心在国内建立了全面的销售网路。我们在销售、产品代工、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。 2020年4月16日英飞凌宣布:已经完成总价值90亿欧元(合人民币693亿元)对Cypress赛普拉斯半导体公司的收购案，英飞凌成为全球十大半导体制造商之一。 经营理念 我们秉承扎根中国的承诺，致力于和 *** 及科研机构携手开发行业标准，支持中国积体电路产业增强竞争力。我们与国内领先高校合作建立实验室，进行汽车电子、智慧卡等方面的研发合作，现在进行的项目有上海同济大学汽车电子实验室、天津大学内燃机实验室等等。我们每年拨出专款，在复旦大学、西安电子科技大学、同济大学等众多领先高校设立奖学金，培养优秀的技术和管理人才，并为其提供施展才华的广阔空间。 作为优秀的企业公民，英飞凌致力于回馈社会，协助中国实现可持续发展。我们积极开展资助贫困儿童入学的活动，一方面号召英飞凌在国内的员工捐款捐物，帮助贫困地区的儿童返回校园;另一方面派员工到贫困地区提供义务教学，为中国基础教育的发展做出贡献。 成就地位 2018财年(截止到2018年9 月 30 日)，公司实现销售额75.99亿欧元， 在全球拥有约 40,100 名雇员， 并允许北京瑞田达技贸易有限公司代理其产品。英飞凌科技公司的业务遍及全球，在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构，是全球领先的半导体公司之一。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发，全球共拥有41,000项专利。 中国在英飞凌的全球战略中具有举足轻重的地位，我们在过去的发展历程中，见证了中国改革开放取得的巨大成就。放眼我们愿与中国在核心层面进行密切合作，与快速成长的中国积体电路产业共同发展，与中国共创辉煌! 企业排名 2020年5月13日，英飞凌名列2020福布斯全球企业2000强榜第763位。 2020年7月，入选 2020年全球汽车零部件企业百 强榜。 在中国 西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自从1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国已经拥有8家公司和1700多名员工。2004年英飞凌在中国的销售额增加了30%，高于中国半导体行业的平均增长速度，在国内的排名由2002年的第七位上升至前四位，成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的一个重要推动力。 进入中国以来，英飞凌不断顺应客户与市场的需求，研发及生产一系列能够套用于本地市场的产品。英飞凌先进的半导体解决方案已广泛套用于各个领域，同时我们凭借雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括联想、华为、方正、红丰、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。 英飞凌在中国的协定投资额已逾10亿美元，建立了涵盖研发、生产、销售市场、技术支持等在内的完整的产业链。在研发方面，英飞凌在上海、西安建立了研发中心，利用国内的人才资源，参与全球的重点项目研究;在无锡、苏州的后道生产工厂，为中国及全球其他市场生产先进的晶片产品;并以北京、上海、深圳和香港为中心在国内建立了全面的销售网路。我们在销售、产品代工、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作，与中芯国际等领先的电子代工企业进行生产制造方面的合作。到2007年，英飞凌计画将在华累计投资增加到12亿美元，员工成长到3000名。 公司秉承扎根中国的承诺，致力于和 *** 及科研机构携手开发行业标准，支持中国积体电路产业增强竞争力。公司与国内领先高校合作建立实验室，进行汽车电子、智慧卡等方面的研发合作，现在进行的项目有上海同济大学汽车电子实验室、天津大学内燃机实验室等。公司每年专门拨出几十万元，在复旦大学、西安电子科技大学、同济大学等众多领先高校设立奖学金，培养优秀的技术和管理人才，并为其提供施展才华的广阔空间。 作为优秀的企业公民，英飞凌致力于回馈社会，协助中国实现可持续发展。公司积极开展资助贫困儿童入学的活动，一方面号召英飞凌在国内的员工捐款捐物，帮助贫困地区的儿童返回校园;另一方面派员工到贫困地区提供义务教学，为中国基础教育的发展做出贡献。英飞凌还与西安考古研究所积极合作，利用公司及员工的捐款，资助该研究所的文物修复工作。 中国在英飞凌的全球战略中具有举足轻重的地位，公司在过去的发展历程中，见证了中国改革开放取得的巨大成就。放眼公司愿与中国在核心层面进行密切合作，与快速成长的中国积体电路产业共同发展，与中国共创辉煌! 企业动态 2018年8月2日，英飞凌与阿里云签署物联网合作备忘录，共同推进物联网技术在智慧生活、工业等领域的套用。

三星高新电机主要产品

这两个公司其实就是一个公司,高新电机是从三星电机分出来的,多年以前,三星集团往三星电机投资,由于当时公司已经饱和,所以选择再注册一个二法人,成立了高新电机,再有就是三星电机当初是和元五合资的,牵扯到老职工的问题,所以成立新公司,是为了有个退步。工资和待遇都是一样的。天津三星电机有限公司成立于1993年12月份，总投资额为3亿6千万美金。现占地面积为4万多平方米，公司在册员工为3300名。是唯一一家建立在天津市区的生产法人。坐落于天津市河西区黑牛城道。主要生产新型电子产品的核心部件。2001年，因生产及经营规模的扩大，分离出新的法人-三星高新电机(天津)有限公司。三星高新电机现占地面积为5万多平方米，设立在离市区15分钟车程的西青微电子工业园内，与天津三星电机共同运营，现在册员工为3700名，主要生产移动通信及影像制品的核心部品。

以上内容参考：三星高新电机（天津）有限公司_百度百科

英飞凌主要产品型号

600V英飞凌IGBT芯片晶圆

IGC03R60DE 600V 2.5 A

SIGC03T60E 600V 4.0A

SIGC03T60SE 600V 4.0 A

SIGC03T60SNC 600V 2.0 A

IGC04R60DE 600V 4.0 A

SIGC04T60E 600V 6.0 A

SIGC04T60GE 600V 6.0 A

SIGC04T60GSE 600V 6.0 A

IGC05R60DE 600V 6.0 A

SIGC05T60SNC 600V 4.0 A

IGC06R60DE 600V 8.0 A

SIGC06T60E 600V 10.0 A

SIGC06T60GE 600V 10.0 A

IGC07R60DE 600V 10.0 A

SIGC07T60NC 600V 6.0 A

SIGC07T60SNC 600V 6.0 A

SIGC07T60UN 600V 6.0 A

SIGC08T60E 600V 15.0 A

SIGC08T60SE 600V 15.0 A

IGC10R60DE 600V 15.0 A

SIGC10T60E 600V 20.0 A

SIGC10T60SE 600V 20.0 A

SIGC11T60NC 600V 10.0 A

SIGC11T60SNC 600V 10.0 A

SIGC12T60NC 600V 10.0 A

SIGC12T60SNC 600V 10.0 A

SIGC14T60NC 600V 15.0 A

SIGC14T60SNC 600V 15.0 A

SIGC15T60E 600V 30.0 A

SIGC15T60SE 600V 30.0 A

SIGC15T60UN 600V 15.0 A

SIGC18T60NC 600V 20.0 A

SIGC18T60SNC 600V 20.0 A

SIGC18T60UN 600V 20.0 A

SIGC19T60SE 600V 40.0 A

SIGC25T60NC 600V 30.0 A

SIGC25T60SNC 600V 30.0 A

SIGC25T60UN 600V 30.0 A

SIGC28T60E 600V 50.0 A

SIGC39T60E 600V 75.0 A

SIGC40T60R3E 600V 75.0 A

SIGC42T60NC 600V 50.0 A

SIGC42T60SNC 600V 50.0 A

SIGC42T60UN 600V 50.0 A

SIGC54T60R3E 600V 100.0 A

SIGC61T60NC 600V 75.0 A

SIGC76T60R3E 600V 150.0 A

SIGC81T60NC 600V 100.0A

SIGC81T60SNC 600V 100.0 A

SIGC100T60R3E 600V 200.0 A

SIGC121T60NR2C 600V 150.0 A

SIGC156T60NR2C 600V 200.0 A

SIGC156T60SNR2C 600V 200.0 A

650V英飞凌IGBT芯片晶圆

SIGC04T65E 650V 6.0 A

SIGC06T65E 650V 10.0 A

SIGC06T65GE 650V 10.0 A

SIGC08T65E 650V 15.0 A

SIGC10T65E 650V 20.0 A

IGC10T65QE 650V 20.0 A

SIGC15T65E 650V 30.0 A

IGC15T65QE 650V 30.0 A

IGC19T65QE 650V 40.0 A

SIGC28T65E 650V 50.0 A

IGC28T65T8M 650V 50.0 A

IGC28T65QE 650V 50.0 A

IGC31T65QE 650V 60.0 A

SIGC39T65E 650V 75.0 A

IGC39T65QE 650V 75.0 A

IGC39T65T8M 650V 75.0 A

SIGC40T65R3E 650V 75.0 A

SIGC54T65R3E 650V 100.0 A

IGC54T65R3QE 650V 100.0 A

IGC54T65T8RM 650V 100.0 A

SIGC76T65R3E 650V 150.0 A

IGC76T65T8RM 650V 150.0 A

SIGC78T65R3E 650V 150.0 A

SIGC100T65R3E 650V 200.0 A

IGC100T65T8RM 650V 200.0 A

1200V英飞凌IGBT芯片晶圆

IGC99T120T8RQ 1200V 100.0 A

IGC07T120T8L 1200V 4.0 A

IGC11T120T8L 1200V 8.0 A

SIGC12T120E 1200V 8.0 A

SIGC12T120LE 1200V 8.0 A

IGC13T120T8L 1200V 10.0 A

IGC18T120T8L 1200V 15.0 A

IGC18T120T8Q 1200V 15.0 A

SIGC20T120E 1200V 15.0 A

SIGC20T120LE 1200V 15.0 A

IGC27T120T8L 1200V 25.0 A

IGC27T120T8Q 1200V 25.0 A

SIGC32T120R3E 1200V 25.0 A

SIGC32T120R3LE 1200V 25.0 A

IGC36T120T8L 1200V 35.0 A

SIGC41T120R3E 1200V 35.0 A

SIGC41T120R3LE 1200V 40.0 A

IGC41T120T8Q 1200V 40.0 A

IGC50T120T8RL 1200V 50.0 A

IGC50T120T8RQ 1200V 50.0 A

SIGC57T120R3E 1200V 50.0 A

SIGC57T120R3LE 1200V 50.0 A

IGC70T120T8RL 1200V 75.0 A

IGC70T120T8RM 1200V 75.0 A

IGC70T120T8RQ 1200V 75.0 A

SIGC84T120R3E 1200V 75.0 A

SIGC84T120R3LE 1200V 75.0 A

IGC99T120T8RH 1200V 100.0 A

IGC99T120T8RL 1200V 100.0 A

IGC99T120T8RM 1200V 100.0 A

SIGC109T120R3E 1200V 100.0 A

SIGC109T120R3LE 1200V 100.0 A

IGC142T120T8RH 1200V 150.0 A

IGC142T120T8RL 1200V 150.0 A

IGC142T120T8RM1200V 150.0 A

SIGC158T120R3E 1200V 150.0 A

SIGC158T120R3LE 1200V 150.0 A

IGC189T120T8RL 1200V 200.0 A

IGC193T120T8RM1200V 200.0 A

SIGC06T120CS 1200V 2.0 A

SIGC16T120C 1200V 8.0 A

SIGC16T120CL 1200V 8.0 A

SIGC16T120CS 1200V 8.0 A

SIGC25T120C 1200V 15.0 A

SIGC25T120CL 1200V 15.0 A

SIGC25T120CS 1200V 15.0 A

SIGC25T120CS2 1200V 15.0 A

SIGC42T120C 1200V 25.0 A

SIGC42T120CL 1200V 25.0 A

SIGC42T120CQ 1200V 25.0 A

SIGC42T120CS 1200V 25.0 A

SIGC42T120CS2 1200V 25.0 A

SIGC81T120R2C 1200V 50.0 A

SIGC81T120R2C L 1200V 50.0 A

SIGC81T120R2CS 1200V 50.0 A

SIGC121T120R2C 1200V 75.0 A

SIGC121T120R2CL 1200V 75.0 A

SIGC121T120R2CS 1200V 75.0 A

SIGC156T120R2C 1200V 100.0 A

SIGC156T120R2CL 1200V 100.0 A

SIGC156T120R2CS 1200V 100.0 A

SIGC223T120R2CL 1200V 150.0 A

SIGC223T120R2CS 1200V 150.0 A

1700V英飞凌IGBT芯片晶圆

SIGC42T170R3GE 1700V 29A

SIGC68T170R3E 1700V 50A

IGC89T170S8RM 1700V 75A

SIGC101T170R3E 1700V 75A

IGC114T170S8RH 1700V 100A

IGC114T170S8RM 1700V 100A

SIGC128T170R3E 1700V 100A

IGC136T170S8RH2 1700V 117.5A

SIGC158T170R3E 1700V 125A

IGC168T170S8RH 1700V 150A

IGC168T170S8RM 1700V 150A

SIGC186T170R3E 1700V 150A

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